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介質(zhì)損耗因數(shù)和正切角測試儀

簡要描述:LDJD-B型介質(zhì)損耗因數(shù)和正切角測試儀以DDS數(shù)字直接合成方式產(chǎn)生信號源,頻率范圍達(dá)10kHZ-110MHZ,信號源具有信號失真小、頻率精確、信號幅度穩(wěn)定的優(yōu)點(diǎn),更保證了測量精度的精確性。

  • 產(chǎn)品型號:LDJD-B
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時間:2024-06-27
  • 訪  問  量:1430

詳細(xì)介紹

品牌其他品牌產(chǎn)地類別國產(chǎn)
應(yīng)用領(lǐng)域化工,石油,建材

Φ

LDJD-B 介質(zhì)損耗因數(shù)和正切角測試儀

一、LDJD-B 介質(zhì)損耗因數(shù)和正切角測試儀 適用標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 1693-2007 《硫化橡膠 介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值的測定方法》

LDJD-B型介質(zhì)損耗因數(shù)測試儀適用于10kHZ-110MHZ下固體電氣絕緣材料的電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)(需要測液體介電常數(shù)和介質(zhì)損耗因數(shù)請與我司聯(lián)系)

二、主要參數(shù)

1.信號源頻率覆蓋范圍10kHz~110MHz

2.環(huán)境溫度:0℃~+40℃;

3.消耗功率:約25W;電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。

4.主電容調(diào)節(jié)范圍:30~540pF

5.電容直接測量范圍:1pF~2.5uF

6.Q值測量范圍:1~1023,Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔;

7.S916(數(shù)顯)介電常數(shù)εr和介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ測試裝置:

數(shù)顯式微桿

平板電容器:

極片尺寸: Φ50mm/Φ38mm可選

極片間距可調(diào)范圍:≥15mm

夾具插頭間距:25mm±0.01mm

夾具損耗正切值≤4×10-4 (1MHz)

測微桿分辨率:0.001mm

測試極片:材料測量直徑Φ50mm/Φ38mm可選  厚度可調(diào) ≥ 15mm 

*液體杯:測量極片直徑 Φ38mm; 液體杯內(nèi)徑Φ48mm 、深7mm(測量液體介電常數(shù)請與我司聯(lián)系)

8. 主機(jī)尺寸:(寬×高×深)mm:380×132×280

三、術(shù)語和定義

1.介質(zhì)損耗角δ dielectric loss angle

由絕緣材料作為介質(zhì)的電容器上所施加的電壓與由此而產(chǎn)生的電流之間的相位差的余角。

2.介質(zhì)損耗因數(shù) tanδ dielectric dissipation factor

損耗角δ的正切。

3.〔介質(zhì)〕損耗指數(shù) εr [dielectric] loss index

該材料的損耗因數(shù)tanδ與相對電容率εr的乘積。

四、影響介電性能的因素

下面分別討論頻率、溫度、濕度和電氣強(qiáng)度對介電性能的影響。

1  頻率

因?yàn)橹挥猩贁?shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的εr和tanδ幾乎是恒定的,且被用作工程電介質(zhì)材料,然而一般的電介質(zhì)材料必須在所使用的頻率下測量其介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率。

電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的變化是由于介質(zhì)極化和電導(dǎo)而產(chǎn)生,重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導(dǎo)致的界面極化所引起的。

2  溫度

損耗指數(shù)在一個頻率下可以出現(xiàn)一個大值,這個頻率值與電介質(zhì)材料的溫度有關(guān)。介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負(fù)的,這取決于在測量溫度下的介質(zhì)損耗指數(shù)大值位置。

3  濕度

極化的程度隨水分的吸收量或電介質(zhì)材料表面水膜的形成而增加,其結(jié)果使電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電導(dǎo)率增大。因此試驗(yàn)前和試驗(yàn)時對環(huán)境濕度進(jìn)行控制是*的。

注:濕度的顯著影響常常發(fā)生在1MHz以下及微波頻率范圍內(nèi)。

4  電場強(qiáng)度

存在界面極化時,自由離子的數(shù)目隨電場強(qiáng)度增大而增加,其損耗指數(shù)大值的大小和位置也隨此而變。

在較高的頻率下,只要電介質(zhì)中不出現(xiàn)局部放電,電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)與電場強(qiáng)度無關(guān)。

 

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